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프루닝은 파라미터의 중요도를 판단하여 불필요한 파라미터를 제거하는 경량화 방법. 프루닝의 세밀성(Pruning Granularity) 프루닝은 제거하는 파라미터의 세밀성에 따라 분류되며 각각의 장단점을 가진다.Fine-grained 방식으로 갈수록 불필요한 파라미터를 정밀하게 제거할 수 있어 더 높은 압축률을 달성하기 쉬워지지만, 프루닝 패턴이 불규칙해지고 파라미터에 0값이 할당되어 네트워크 구조가 변하지 않는다.Coarse-grained 방식으로 갈수록 세밀성이 낮아져 큰 단위로 파라미터를 제거하게되며ㅡ 일부 중요한 파라미터까지 함께 제거될 수 있으므로 낮은 압축률을 가진다. 하지만 프루닝 패턴이 규칙적이기 때문에 가속으로 이어지기 용이하다.그림에서 보면 4가지의 프루닝 방식을 볼 수 있다.Weight..

패키징은 다이 본딩, 와이어 본딩 혹은 플립칩, 언더필 처리, 몰딩, 테스트 등으로 구성되며 기판에 탑재하며 전기적 연결 및 신호 전송, 발열 관리 등 역할을 수행한다. 전기적 연결(Wire Bonding/Flip Chip Bonding)칩과 외부 패키지 기판을 전기적으로 연결하는 작업이다.1) 와이어 본딩(wire bonding)금, 구리 알루미늄 등의 얇은 와이어를 사용해 다이 패드(die pad)와 리드 프레임(lead frame)을 연결하는 방식이다.비교적 단순하나 고속 신호 전송에는 한계가 있다.2) 플립 칩 본딩(Flip Chip Bonding)다이를 뒤집어 패키지 기판에 직접 접촉시키는 방식솔더 범프(solder bump)를 통해 연결하며 전송 속도가 빠르고 저항이 적어 고성능 및 고밀도 회..

식각 공정(Etching Process): 식각 공정은 기본적으로 반도체 표면에 불필요한 물질을 제거하여 패턴을 형성하는 과정을 말한다.   습식 식각(Wet Etching)습식 식각은 화학 용액을 사용해 기판의 특정 물질을 선택적으로 제거하는 방식이다. 건식 식각(Dry Etching)건식 식각은 플라즈마와 반응성 기체를 사용해 기판 물질을 제거하는 방식이다. 기체 분자들이 플라즈마 상태로 변하면서 고에너지를 갖게 되며, 이러한 활성화된 기체분자가 기판 표면에 충돌하면서 박막 물질을 제거한다. 건식 식각 공정을 위한 공정 변수 조정 Equipment Parameters:장비 설계, 파워, 주파수, 압력, 온도, 가스 흐름 속도 등 공정에 필요한 환경 조건을 제어.Process Parameters:플라즈..

박막 공정은 여러 층의 얇은 박막을 형성, 필요한 특성(절연, 도전, 활성 영역)을 구현한다. 박막 공정을 형성하는 주요 공정으로는 플라즈마 공정, 물리적 기상 증착(PVD), 스퍼터링(Sputtering), 화학적 기상 증착(CVD), 플라즈마 강화 화학적 기상 증착(PECVD), 원자층 증착(ALD) 등이 있다. 플라즈마 공정(Plasma Processing) 이혼화된 상태: 플라즈마는 높은 엔어지 때문에 전자들이 원자에서 분리되어 장롭게 움직이는 상태이다. 이온화된 전자와 양이온들이 존재하므로, 플라즈마는 전기를 잘 통하고 높은 반응성을 보인다.전기적 중성: 플라즈마 내부는 전자와 이온이 함께 존재하여 전체적으로 전기적 중성 상태를 유지하려는 성질이 강하다. 그러나 외부 전압을 인가하면 특정 방향으..

포토리소그래피는 웨이퍼 표면에 특정 패턴을 형성하기 위해 포토레지스트를 사용하여, 노광(Exposure) 후 현상(Development) 및 식각(Etching) 단계를 거치는 과정으로 이루어진다. 포토리소그래피 핵심 단계1) 포토레지스트 코팅(Photoresist Coating)포토레지스트는 스핀 코팅(Sping coating)공정을 통해 웨이퍼 표면에 균일한 두께로 도포된다. 이 과정에서 포토레지스트의 두께, 균일성, 정전기적 결함 등이 중요하다.스핀 코팅(Spin Coating): 고속 회전을 통해 액체 형태의 포토레지스트를 균일하게 웨이퍼에 도포한다. 스핀 속도, 시간, 포토레지스트의 점도는 두께를 결정하는 중요한 파라미터이다.리소그래피 공정에 적합한 두께: 해상도 및 패턴의 요구사항에 맞게 포토..

이 표는 반도체 제조 공정에서 사용되는 주요 용매(Solvent)와 그 용도에 대해 설명하고 있다DI Water는 웨이퍼 헹굼에, IPA와 Acetone은 일반적인 세척에 사용되며, Acetone이 더 강력하다.TCE는 웨이퍼와 오염 제거에, Xylene은 강력한 세척과 포토레지스트 가장자리 제거에 활용된다. 이 표는 반도체 제조 공정에서 사용하는 주요 베이스(Base) 화학물과 그 용도를 보여준다.Hydrogen Peroxide (H₂O₂): Etching 공정에서 촉매로 사용됨.Ammonium Hydroxide (NH₄OH): 웨이퍼 세정을 위한 Cleaning Solution.Potassium Hydroxide (KOH): 포지티브 포토레지스트 현상(Developer)에 사용.Tetramethyl ..

포토리소그래피(Photolithography) 는 반도체 제조 공정에서 미세회로 패턴을 실리콘 웨이퍼에 구현하는 핵심적인 기술이다. UV와 포토레지스트를 사용하여 미세한 회로 패턴을 전사한다. 웨이퍼는 Thin Film Deposition → Photolithography → Etching → Ion Implantation → Diffusion → Polishing 등의 과정을 반복하며 점진적으로 소자가 형성된다.마지막으로 Testing and Sorting을 통해 완성된 웨이퍼가 품질 기준을 충족하는지 확인된다.이러한 Front-End Process는 반도체 소자의 성능과 품질을 결정짓는 매우 중요한 단계이다.포토마스크/레티클과 패터닝 공정포토마스크(Photomask) 회로 패턴이 새겨진 유리 또는 석..

Czochralski(CZ) 공정 가장 널리 사용되는 실리콘 단결정 성장 방법.폴리 실리콘을 도가니에서 녹인 후 고순도의 실리콧 seed crystal을 용융된 실리콘에 천천히 담그고 회전시키면서 끌어올려 단결정을 형성seed crystal은 정해진 방향으로 결정체가 성장하도록 유도하며 긴 원통형의 단결정 실리콘 봉이 생성되는데, 이를 ingot이라 한다. 300mm 웨이퍼 도입은 단위 칩당 제조 비용을 줄이는데 중요한 역할을 했다. 웨이퍼 크기가 커지면서 이를 처리할 수 있는 포토리소그래피 장비, 에칭 장비, 증착 장비 등이 함꼐 발전했다. 실리콘 도핑도핑은 반도체 소자의 전기적 특성을 조절하기 위해 반도체 기반에 불순물 원자(dopant)를 추가하여 전기 전도도를 조절하는 과정이다. 이를 통해 n형과..

반도체 제조 공정의 분류는 8대 공정으로 구분하고 있다.1) 웨이퍼 제조공정 웨이퍼는 실리콘 잉곳을 슬라이싱하여 제작되며, 표면을 연마하고 세정 과정을 거쳐 반도체 공정에 적합한 얇은 실리콘 디스크를 생성한다. 2) 산화 공정 웨이퍼 표면에 산화막(SiO₂)을 형성하는 공정으로, 주로 열 산화법을 사용하여 웨이퍼의 절연층을 만든다. 3) 포토공정감광제를 웨이퍼 위에 도포한 후, 빛(광원)을 사용하여 패턴을 형성하고, 현상 공정을 통해 원하는 회로 형태를 얻는다. 4) 식각 공정포토공정으로 형성된 패턴을 따라 노출된 부분의 산화막이나 물질을 제거하는 공정으로, 화학적 또는 플라즈마 식각이 사용된다. 5) 증착 & 이온주입 공정증착 공정은 웨이퍼 표면에 얇은 층의 재료를 증착시키는 과정이며, 이온주입 공정은..

Learning AlgorithmsTransfer learning : DNN에 의해 학습하고 그 웨이트를 SNN(스파이킹 신경망)에 transfer함.(정확도가 높음)Unsupervised learning : 정답을 모르는 상태에서 STDP 또는 SRDP 방식으로 시냅스 가중치를 업데이트함. (DNN과 같은 것은 정답을 알고 있는 상태이므로 supervised learning임, 생물학적인 learning을 그대로 차용하였음)Spike based back propagation learning: 출력층에서 계산된 오차를 back propagation하여 가중치를 업데이트SNN을 구현한 오픈소스 코드의 시뮬레이션 과정이다. 28X28픽셀로 구성된 MNIST숫자 이미지의 각 픽셀값에 따라 스파이크 신호가 입력..