5.4. 반도체 패키징 공정 기술

패키징은 다이 본딩, 와이어 본딩 혹은 플립칩, 언더필 처리, 몰딩, 테스트 등으로 구성되며 기판에 탑재하며 전기적 연결 및 신호 전송, 발열 관리 등 역할을 수행한다.

 

전기적 연결(Wire Bonding/Flip Chip Bonding)

칩과 외부 패키지 기판을 전기적으로 연결하는 작업이다.

1) 와이어 본딩(wire bonding)

금, 구리 알루미늄 등의 얇은 와이어를 사용해 다이 패드(die pad)와 리드 프레임(lead frame)을 연결하는 방식이다.

비교적 단순하나 고속 신호 전송에는 한계가 있다.

2) 플립 칩 본딩(Flip Chip Bonding)

다이를 뒤집어 패키지 기판에 직접 접촉시키는 방식

솔더 범프(solder bump)를 통해 연결하며 전송 속도가 빠르고 저항이 적어 고성능 및 고밀도 회로에 적합하다.

 

웨이퍼 레벨 패키지 

웨이퍼 상태에서 패키지 공정을 진행하는 기술로, 팬인 WLCSP), 팬아웃 WLCSP가 있고, 플립칩 패키지와 TSV 패키지 기술로 나뉜다.

Fan-Out Wafer Level Chip Package(Fan out WLCSP)는 웨이퍼 수준에서의 패키지 크기를 더 확장하는 방식으로, I/O를 칩 바깥쪽으로 넓게 배치하여 더 높은 집적도를 제공하는 기술이다.