4.4. 반도체 소자 제조용 화학 물질

이 표는 반도체 제조 공정에서 사용되는 주요 용매(Solvent)와 그 용도에 대해 설명하고 있다

DI Water는 웨이퍼 헹굼에, IPA와 Acetone은 일반적인 세척에 사용되며, Acetone이 더 강력하다.

TCE는 웨이퍼와 오염 제거에, Xylene은 강력한 세척과 포토레지스트 가장자리 제거에 활용된다.

 

이 표는 반도체 제조 공정에서 사용하는 주요 베이스(Base) 화학물과 그 용도를 보여준다.

• Hydrogen Peroxide (H₂O₂): Etching 공정에서 촉매로 사용됨.
• Ammonium Hydroxide (NH₄OH): 웨이퍼 세정을 위한 Cleaning Solution.
• Potassium Hydroxide (KOH): 포지티브 포토레지스트 현상(Developer)에 사용.
• Tetramethyl Ammonium Hydroxide (TMAH): 포지티브 포토레지스트 Developer로 사용

 

그림은 반도체 제조 공정에서 화학 물질을 안전하게 저장, 분배, 공급하는 시스템을 보여준다. Chemical Distribution Center와 Chemical Supply Room에서 화학 물질을 저장하고, Dual-wall Piping으로 누출을 방지하며, Process Equipment로 전달한다. 누출 감지, 필터링, 배기 시스템 등 안전 설비를 통해 화학 물질의 안전한 사용을 보장한다.

 

이 표는 반도체 제조 공정에서 사용되는 주요 가스 종류와 그 용도를 보여준다.

1. Inert Gases (불활성 가스):
   • Nitrogen (N₂): 가스 라인 및 챔버의 습기와 잔류 가스를 제거하는 데 사용.
   • Argon (Ar): 공정 챔버에서 사용되는 불활성 보호 가스.
   • Helium (He): 공정 챔버와 진공 누출 검사에 사용.
2. Reducing Gas (환원 가스):
   • Hydrogen (H₂): 에피택시층 형성 공정에서 캐리어 가스로 사용.
3. Oxidizing Gas (산화 가스):
   • Oxygen (O₂): 공정 챔버에서 산화 공정을 수행하는 데 사용.