- 금속- 절연체-금속(MIM)구조 내에서 이온 이동과 산화-환원 반응을 통해 저항 상태를 변경
- 비휘발성 특성
스위칭 메커니즘
1) 유니폴라 저항 스위칭
동일한 전압 극성에서 설정(Set)과 리셋(Reset) 동작이 발생
- 설정과 리셋은 동일한 전압 극성에서 발생
- 설정은 일반적으로 더 높은 전압이 필요하지만 전류 제한
- 줄가열 효과에 의해 열적으로 구동
2) 바이폴라 스위칭
산화물 기반 저항 변화 메모리에서 바이폴라 스위칭은 Set과 Reset 동작이 반대 극성의 전압에서 발생
- Set과 Reset이 반대 전압 극성에서 발생
- 전기화학적 반응과 이온 이동에 의해 구동됨
- 산소 빈자리의 이동이 스위칭 메커니즘에 중요한 역할
- 유니폴라 스위칭에 비해 스위칭이 일반적으로 더 완만하게 발생
- 유니폴라 스위칭에 비해 더 낮은 전류
장점
- 높은 속도 : 낸드 플래시보다 빠른 동작 속도
- 낮은 동작 전압(5V 이하)
- 간단한 구조(MIM 구조)
- 높은 집적도 : 크로스바 구조를 이용한 3D 적층
단점
- 공정 : 저항변화 물질의 공정 까다로움
- 균일성 문제: 도전성 필라멘트의 확률적 형성과 파괴로 인한 메모리 셀 간 성능 편차
'AI System Semiconductor' 카테고리의 다른 글
| 3.1. Neuromorphic Hardware(neuron, synapse, Memristor) (1) | 2025.01.06 |
|---|---|
| 2.5. 자성(Magnetic) 소재 반도체 응용 (MRAM) (1) | 2025.01.06 |
| 2.3. 상변화(Phase change) 소재의 반도체 응용 (1) | 2025.01.06 |
| 2.2 강유전체(Ferroelectric 소재의 응용) (0) | 2025.01.06 |
| 1.4. 메모리 반도체 소자 (0) | 2025.01.06 |